MMFTP84PGK
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MMFTP84PGK MOSFET, DFN1006-3, P, -50V, -0.23A, 7.5Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	10.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	MMFTP84PGK

Typ	SMD
Gehäuse	DFN1006-3
Qualification	Industrial Grade
Config	Single Protected
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	-50 V

Drainstrom 25°C	ID	-0.230 A
On-Widerstand 1	RDSon1	7.50000 Ω
	@ ID	-0.100 A
	@ VGS	-10 V
Drainstrom 100°C	ID	null A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.00000 Ω
	@ ID	0.000 A
	@ VGS	0 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	2.700 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Junction
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	-0.900 A
	@ tp	10 µs
Schwellspannung	VGSth min	-1.1 V
	VGSth max	-2.1 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	25 ns
Anstiegszeit	tr	11 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	95 ns
Abfallzeit	tf	23 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	0.4 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	0.0 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	0.1 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	36 pF
Ausgangskapazität	Coss	4 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	1 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	0 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.001 g
Kennzeichnung	Marking	0
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	278 K/W
	Location	ambient
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	-10 µA
	@ VGS	-20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	-50 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	1000 V
Übertragungssteilheit	gfs	150 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	0.0 Ω