DIH005N06-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DIH005N06-AQ MOSFET, SOT-23, N, 60V, 5.5A , 0.13Ω, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DIH005N06-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-223
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Ja
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V

Drainstrom 25°C	ID	5.5 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.13 Ω
	@ ID	2 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	3.8 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.16 Ω
	@ ID	1 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	10 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	ambient
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	22 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	1 V
	VGSth max	2 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	7 ns
Anstiegszeit	tr	3 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	7 ns
Abfallzeit	tf	6 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	9 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	4.3 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	2 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	6 mJ
Eingangskapazität	Ciss	362 pF
Ausgangskapazität	Coss	23 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	18 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	7.3 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.01 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	15 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	80 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	175 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	60 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	4 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	1.1 Ω