DI300N15TL
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI300N15TL MOSFET, TOLL, N, 150V, 300A, 3.9mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	2.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	not declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI300N15TL

Typ	SMD
Gehäuse	HSOF-8/TOLL
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	150 V

Drainstrom 25°C	ID	300 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0039 Ω
	@ ID	20 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	0 A
On-Widerstand 2	RDSon2	null Ω
	@ ID	null A
	@ VGS	null V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	600 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Junction
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	1060 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	2.5 V
	VGSth max	4.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	48 ns
Anstiegszeit	tr	92 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	93 ns
Abfallzeit	tf	59 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	89 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	17 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	900 mJ
Eingangskapazität	Ciss	8720 pF
Ausgangskapazität	Coss	4170 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	207 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	279 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	2 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	0.25 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	175 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	-55 µA
	@ VGS	175 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	0.1 µA
	@ VDS	20 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	1 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	150 V
Übertragungssteilheit	gfs	12 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	5 Ω