DI300N15TL-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI300N15TL-Q MOSFET, TOLL, N, 150V, 300A, 3.9mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	2.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	not declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI300N15TL-Q

Typ	SMD
Gehäuse	HSOF-8/TOLL
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	150 V

Drainstrom 25°C	ID	300.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0039 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	0.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	600.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Junction
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	1060.000 A
	@ tp
Schwellspannung	VGSth min	2.5 V
	VGSth max	4.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	48 ns
Anstiegszeit	tr	92 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	93 ns
Abfallzeit	tf	59 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	89.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	17 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	900.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	8720 pF
Ausgangskapazität	Coss	4170 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	207 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	279 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Nein
Nettogewicht	mnet
Kennzeichnung	Marking
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH
	Location
UL anerkannt	UL-Recognition
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH
	Location
Lagerungstemperatur	Tsmin
	Tsmax
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly
Gate-Source Leckstrom	IGSS
	@ VGS
Drain-Source Leckstrom	IDSS
	@ VDS
Gate-Source-Spannung DC	VGSS
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS
Übertragungssteilheit	gfs
Intrinsic gate resistance	RGi