DI1003PQ-AQ
Bipolare Transistoren

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Produktinformationen

Produktfamilie Bipolare Transistoren
Steuerung und Signalverarbeitung
Artikelbezeichnung DI1003PQ-AQ
BJT, QFN5x6, 100V, 3000mA, NPN, 2.5W, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge 5.000
Bestand 0
Zollnummer 85412900
RoHS compliant with exemption 7(a)-I
REACH declarable
Bleifrei Nein
Halogenfrei Ja

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Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer DI1003PQ-AQ
DI1003PQ-AQ Single
Typ SMD
Gehäuse PowerQFN 5x6
Qualification AEC-Q101
Config Single
Life Cycle engineering sample
ESD sensitive Nein
MSL 1
 
Kollektor Emitter Spannung VCEO 100 V
DC Kollektorstrom IC 3000 mA
Polarität pol NPN
Verlustleistung Ptot 2.500 W
@ TLoc 25 °C
Location Ambient
Kollektor Basis Stromverhältnis hfe 150
@ VCE 10 V
@ IC 150 mA
DC current gain (b) hfe 80
@ VCE 10 V
@ IC 1000 mA
DC current gain (c) hfe 20
@ VCE 10 V
@ IC 2000 mA
Sperrschicht Temperatur Tjmin -55 °C
Tjmax 175 °C
Kollektor-Spitzenstrom ICM 6 A
Peak Base current IBM 500 mA
Collector Base voltage VCBO 100 V
Emitter Base voltage VEBO 7 V
Kollektor Sättigungsspannung VCEsat 150.0 mV
@ IC 1000 mA
@ IB 50.0 mA
Base saturation voltage VBEsat 1.0 V
@ IC 1000 mA
@ IB 50.0 mA
Base Emitter voltage VBE 1 V
Collector Base cutoff current ICBO 100.0 nA
Emitter Base cutoff current IEBO 100 nA
Transitfrequenz ft 125.0 MHz
@ IC 100 mA
@ VCE 2 V
@ f 100 MHz
Kennzeichnung Marking Type
Wärmewiderst. Sperrschicht RTH 5.0 K/W
Location Terminal
Wärmewiderst. Sperrschicht (b) RTH 120.0 K/W
Location ambient
Nettogewicht mnet 0.040 g
Flammbarkeitsklasse Gehäuse UL94-V0 Ja
UL anerkannt UL-Recognition null
Collector Base capacitance CCBO
@ VCB
Lagerungstemperatur Tsmin -55 °C
Tsmax 150 °C

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