DI065N02PT
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI065N02PT MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 20 V, 65 A, 5 mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI065N02PT

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	20 V

Drainstrom 25°C	ID	65 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.005 Ω
	@ ID	20 A
	@ VGS	4.5 V
Drainstrom 100°C	ID	46 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0065 Ω
	@ ID	15 A
	@ VGS	2.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	30 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Junction
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	260 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	0.4 V
	VGSth max	1 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	20 ns
Anstiegszeit	tr	65 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	26 ns
Abfallzeit	tf	7 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	26 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	10 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	132 mJ
Eingangskapazität	Ciss	2334 pF
Ausgangskapazität	Coss	410 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	373 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	45 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	null g
Kennzeichnung	Marking	null
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	null K/W
	Location	null
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	null °C
	Tsmax	null °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	null µA
	@ VGS	null V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	null µA
	@ VDS	null V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	null V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	null mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	null Ω