DI065N02PT-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI065N02PT-AQ MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 20 V, 65 A, 5 mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI065N02PT-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Ja
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	20 V

Drainstrom 25°C	ID	65 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.005 Ω
	@ ID	20 A
	@ VGS	4.5 V
Drainstrom 100°C	ID	46 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0065 Ω
	@ ID	15 A
	@ VGS	2.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	30 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Junction
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	260 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	0.4 V
	VGSth max	1 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	20 ns
Anstiegszeit	tr	65 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	26 ns
Abfallzeit	tf	7 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	26 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	10 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	132 mJ
Eingangskapazität	Ciss	2334 pF
Ausgangskapazität	Coss	410 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	373 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	45 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	null g
Kennzeichnung	Marking	null
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	null K/W
	Location	null
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	null °C
	Tsmax	null °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	null µA
	@ VGS	null V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	null µA
	@ VDS	null V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	null V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	null mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	null Ω