2N7000
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	2N7000 MOSFET, TO-92, N, 60V, 0.2A, 5Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	12.000
Zollnummer	85412100
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	2N7000

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-92
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	n/a

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V

Drainstrom 25°C	ID	0.2 A
On-Widerstand 1	RDSon1	5 Ω
	@ ID	0.5 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	null A
On-Widerstand 2	RDSon2	6 Ω
	@ ID	0.075 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	150 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.35 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	ambient
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	0.5 A
	@ tp	50 µs
Schwellspannung	VGSth min	0.8 V
	VGSth max	3 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	10 ns
Anstiegszeit	tr	10 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	10 ns
Abfallzeit	tf	10 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	null nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	null nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	null mJ
Eingangskapazität	Ciss	60 pF
Ausgangskapazität	Coss	25 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	5 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	null nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.18 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	357 K/W
	Location	ambient
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.01 µA
	@ VGS	15 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	48 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	40 V
Übertragungssteilheit	gfs	100 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	null Ω