MMFTP3936KT
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MMFTP3936KT MOSFET, SOT-723, P, -20V, -0.33A, 1.1Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	MMFTP3936KT

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-523
Qualification	Industrial Grade
Config	Single Protected
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-20 V

Drainstrom 25°C	ID	-0.330 A
On-Widerstand 1	RDSon1	1.10000 Ω
	@ ID	-0.100 A
	@ VGS	-4.5 V
Drainstrom 100°C	ID	0.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	2.80000 Ω
	@ ID	-0.030 A
	@ VGS	-5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.150 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Junction
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	-0.660 A
	@ tp	100 µs
Schwellspannung	VGSth min	-0.3 V
	VGSth max	-1.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	92 ns
Anstiegszeit	tr	0 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	220 ns
Abfallzeit	tf	0 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	0.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	1.5 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	0.4 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	0.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	48 pF
Ausgangskapazität	Coss	12 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	7 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	0.0 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Nein
Nettogewicht	mnet
Kennzeichnung	Marking
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH
	Location
UL anerkannt	UL-Recognition
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH
	Location
Lagerungstemperatur	Tsmin
	Tsmax
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly
Gate-Source Leckstrom	IGSS
	@ VGS
Drain-Source Leckstrom	IDSS
	@ VDS
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	8 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	2000 V
Übertragungssteilheit	gfs	0 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi