MMFTP2318KWV
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MMFTP2318KWV MOSFET, SOT-723, P, -20V, -0.4A, 600 mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	MMFTP2318KWV

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-723
Qualification	Industrial Grade
Config	Single Protected
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-20 V

Drainstrom 25°C	ID	-0.400 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.60000 Ω
	@ ID	-0.300 A
	@ VGS	-4.5 V
Drainstrom 100°C	ID	-0.250 A
On-Widerstand 2	RDSon2	3.00000 Ω
	@ ID	-0.100 A
	@ VGS	-1.2 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.275 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Junction
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	-0.400 A
	@ tp
Schwellspannung	VGSth min	-0.3 V
	VGSth max	-1.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	16 ns
Anstiegszeit	tr	10 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	60 ns
Abfallzeit	tf	36 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	2.0 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	4 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	0.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	40 pF
Ausgangskapazität	Coss	15 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	7 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	8.5 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Nein
Nettogewicht	mnet
Kennzeichnung	Marking
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH
	Location
UL anerkannt	UL-Recognition
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH
	Location
Lagerungstemperatur	Tsmin
	Tsmax
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly
Gate-Source Leckstrom	IGSS
	@ VGS
Drain-Source Leckstrom	IDSS
	@ VDS
Gate-Source-Spannung DC	VGSS
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS
Übertragungssteilheit	gfs
Intrinsic gate resistance	RGi