MMDT521FW-AQ
Digitale Transistoren

Produktinformationen

Produktfamilie	Digitale Transistoren Digitale Steuerungen, Signalverarbeitung
Artikelbezeichnung	MMDT521FW-AQ Biased BJT, SOT-323, NPN, 4.7kΩ, 10kΩ, 50V, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	MMDT521FW-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-323
Qualification	AEC-Q101
Config	Single 2R
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Ja
MSL	1

Polarität	pol	NPN
Widerstand	R1	4700 Ω
	R2	10000 Ω

Kollektor Emitter Spannung	VCEO	50 V
Collector Base voltage	VCBO
Emitter Base voltage	VEBO
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
DC Kollektorstrom	IC	100 mA
Kollektor-Spitzenstrom	ICM
Verlustleistung	Ptot	0.2 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Junction
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH
	Location
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH
	Location
Kollektor Basis Stromverhältnis	hfe
	@ VCE
	@ IC
DC current gain (b)	hfe
	@ VCE
	@ IC
DC current gain (c)	hfe
	@ VCE
	@ IC
Collector Base capacitance	CCBO
	@ VCB
Kollektor Sättigungsspannung	VCEsat
	@ IC
	@ IB
Input voltage on	VIon	2.5 V
	@ VCE	0.3 V
	@ IC	20 mA
Input voltage off	VIoff	0.3 V
	@ VCE	5 V
	@ IC	0.1 mA
Base Emitter voltage	VBE
Collector Base cutoff current	ICBO	100 nA
Emitter Base cutoff current	IEBO	2000000 nA
Transitfrequenz	ft	250 MHz
	@ IC	5 mA
	@ VCE	10 V
	@ f	100 MHz
Kennzeichnung	Marking	Y8
Nettogewicht	mnet	0.01 g
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
UL anerkannt	UL-Recognition
Lagerungstemperatur	Tsmin
	Tsmax