MMBT619WP
Bipolare Transistoren

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Produktinformationen

Produktfamilie Bipolare Transistoren
Steuerung und Signalverarbeitung
Artikelbezeichnung MMBT619WP
BJT, SOT-23, 100V, 4 A, NPN, 1.5W, 150°C
Mindestbestellmenge 4.000
Bestand 0
Zollnummer 85412100
RoHS compliant
REACH not declarable
Bleifrei Ja
Halogenfrei Ja

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Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer MMBT619WP
MMBT619WP Single
Typ SMD
Gehäuse DFN 2x2
Qualification Industrial Grade
Config Single
Life Cycle engineering sample
ESD sensitive Nein
MSL 1
 
Kollektor Emitter Spannung VCEO 100 V
DC Kollektorstrom IC 4000 mA
Polarität pol NPN
Verlustleistung Ptot 1.500 W
@ TLoc 25 °C
Location Junction
Kollektor Basis Stromverhältnis hfe 300
@ VCE 2 V
@ IC 200 mA
DC current gain (b) hfe 200
@ VCE 2 V
@ IC 10 mA
DC current gain (c) hfe 100
@ VCE 2 V
@ IC 2000 mA
Sperrschicht Temperatur Tjmin -55 °C
Tjmax 150 °C
Kollektor-Spitzenstrom ICM 6000 A
Peak Base current IBM
Collector Base voltage VCBO 50 V
Emitter Base voltage VEBO 7 V
Kollektor Sättigungsspannung VCEsat 130.0 mV
@ IC 1000 mA
@ IB 50.0 mA
Base saturation voltage VBEsat 1.1 V
@ IC 4000 mA
@ IB 200.0 mA
Base Emitter voltage VBE
Collector Base cutoff current ICBO 100.0 nA
Emitter Base cutoff current IEBO 100 nA
Transitfrequenz ft 100.0 MHz
@ IC 50 mA
@ VCE 10 V
@ f 100 MHz
Kennzeichnung Marking 4H
Wärmewiderst. Sperrschicht RTH 83.0 K/W
Location ambient
Wärmewiderst. Sperrschicht (b) RTH
Location
Nettogewicht mnet 0.01 g
Flammbarkeitsklasse Gehäuse UL94-V0 Ja
UL anerkannt UL-Recognition
Collector Base capacitance CCBO 20 pF
@ VCB 10 V
Lagerungstemperatur Tsmin -55 °C
Tsmax 150 °C

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