MDE0A75C020K
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MDE0A75C020K MOSFET, SOT-563 Dual, N+P, 20 V, 0.75A, 0.38 Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	MDE0A75C020K

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-563
Qualification	Industrial Grade
Config	Dual protected
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N+P
Drain-Source-Spannung	VDS	20 V

Drainstrom 25°C	ID	0.75 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.38 Ω
	@ ID	0.66 A
	@ VGS	4.5 V
Drainstrom 100°C	ID	3 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.52 Ω
	@ ID	-0.66 A
	@ VGS	-4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.38 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Junction
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	3 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	0.4 V
	VGSth max	1.1 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	4 ns
Anstiegszeit	tr	2 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	17 ns
Abfallzeit	tf	2 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	null nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	1 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	0.3 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	null mJ
Eingangskapazität	Ciss	54 pF
Ausgangskapazität	Coss	11 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	7 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	null nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.01 g
Kennzeichnung	Marking	TBA
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	329 K/W
	Location	ambient
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	10 µA
	@ VGS	10 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	20 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	10 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	TBA V
Übertragungssteilheit	gfs	null mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	TBA Ω