MDE0A25N020K
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Downloads & Links
Technische Daten
News und Updates
Muster anfragen

Produktinformationen

Produktfamilie MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung MDE0A25N020K
MOSFET, SOT-563 Dual, N+N, 20 V, 0.25A, 1.1 Ω, 150°C
Mindestbestellmenge 4.000
Bestand 0
Zollnummer 85412900
RoHS compliant
REACH not declarable
Bleifrei Ja
Halogenfrei Ja

Downloads & Links

Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer MDE0A25N020K
MDE0A25N020K Dual protected
Typ SMD
Gehäuse SOT-563
Qualification Industrial Grade
Config Dual protected
Life Cycle engineering sample
ESD sensitive Nein
MSL 3
 
ESD Schutz ESD protected Ja
Polarität pol N+N
Drain-Source-Spannung VDS 20 V
Drainstrom 25°C ID 0.250 A
On-Widerstand 1 RDSon1 1.10000 Ω
@ ID 0.150 A
@ VGS 4.5 V
Drainstrom 100°C ID 2.500 A
On-Widerstand 2 RDSon2
@ ID
@ VGS
Sperrschicht Temperatur Tjmin -55 °C
Tjmax 150 °C
Verlustleistung Ptot 0.150 W
@ TLoc 25 °C
Location Junction
Avalanche Nein
Drain-Spitzenstrom IDM 0.600 A
@ tp null µs
Schwellspannung VGSth min 0.4 V
VGSth max 1.0 V
Einschaltverzögerung tD(on) 7 ns
Anstiegszeit tr 5 ns
Ausschaltverzögerung tD(off) 17 ns
Abfallzeit tf 7 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V) Qg (10V) 0.9 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V) Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung Qgd 0.2 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie Eas null mJ
Eingangskapazität Ciss 79 pF
Ausgangskapazität Coss 13 pF
Rückwirkungskapazität Crss 9 pF
Sperrverzugsladung Qrr null nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse UL94-V0 Ja
Nettogewicht mnet 0.01 g
Kennzeichnung Marking TBA
Wärmewiderst. Sperrschicht RTH 278.0 K/W
Location ambient
UL anerkannt UL-Recognition null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b) RTH null K/W
Location null
Lagerungstemperatur Tsmin -55 °C
Tsmax 150 °C
Löt- und Einbaubedingungen Solder & Assembly 260°/10s
Gate-Source Leckstrom IGSS 10 µA
@ VGS 10 V
Drain-Source Leckstrom IDSS 1 µA
@ VDS 20 V
Gate-Source-Spannung DC VGSS 10 V
Gate-Source-Spannung ESD VGSS TBA V
Übertragungssteilheit gfs 1 mA/V
Innerer Gate-Widerstand RGi TBA Ω

News und Updates

  • Filter:

Referenz-Diagramme

Keine Einträge gefunden.

Muster anfragen