MDE001P020
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MDE001P020 MOSFET, SOT-563, P, -20V, -1A, 150mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	MDE001P020

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-563
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-20 V

Drainstrom 25°C	ID	-1 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.15 Ω
	@ ID	0.95 A
	@ VGS	-4.5 V
Drainstrom 100°C	ID	null A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.2 Ω
	@ ID	0.67 A
	@ VGS	-2.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.35 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	ambient
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	-4 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	-1 V
	VGSth max	-2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	7.5 ns
Anstiegszeit	tr	44 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	36 ns
Abfallzeit	tf	14 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	null nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	2.2 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	0.5 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	null mJ
Eingangskapazität	Ciss	170 pF
Ausgangskapazität	Coss	32 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	20 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	null nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.01 g
Kennzeichnung	Marking	PF
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	357 K/W
	Location	ambient
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	12 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	20 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	12 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	3 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	null Ω