DIW170SIC030
SiC MOSFETs

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs Hochgeschwindigkeitsschalter für hohe Spannungen und Leistungen
Artikelbezeichnung	DIW170SIC030 1700 V SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 123A, 1700V, 30mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	450
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DIW170SIC030

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-247-3L
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	n/a

Drain-Source-Spannung	VDS	1700 V
Drainstrom 25°C	ID	123 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.03 Ω

	@ ID	80 A
	@ VGS	18 V
On-Widerstand 2	RDSon2	null Ω
	@ ID	null A
	@ VGS	null V
Polarität	pol	N
ESD Schutz	ESD protected	Nein
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	18 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Drainstrom 100°C	ID	86 A
Drain-Spitzenstrom	IDM	260 A
	@ tp	null µs
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	333 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Schwellspannung	VGSth min	2 V
	VGSth max	4 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	55 ns
Anstiegszeit	tr	30 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	53 ns
Abfallzeit	tf	23 ns
Gesamte Schaltenergie	Etotal	3.36 mJ
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	207 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	49 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	null mJ
Eingangskapazität	Ciss	4692 pF
Ausgangskapazität	Coss	181 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	9 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	540 nC
Avalanche	Ja
Nettogewicht	mnet	6 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	0.45 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	40 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	175 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s