DIW120SIC192
SiC MOSFETs

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs Hochgeschwindigkeitsschalter für hohe Spannungen und Leistungen
Artikelbezeichnung	DIW120SIC192 1200V SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 19A, 1200V, 192mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	450
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DIW120SIC192

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-247-3L
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	n/a

Drain-Source-Spannung	VDS	1200 V
Drainstrom 25°C	ID	19 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.192 Ω

	@ ID	10 A
	@ VGS	20 V
On-Widerstand 2	RDSon2	null Ω
	@ ID	null A
	@ VGS	null V
Polarität	pol	N
ESD Schutz	ESD protected	Nein
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Drainstrom 100°C	ID	12.5 A
Drain-Spitzenstrom	IDM	40 A
	@ tp	null µs
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	127 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Schwellspannung	VGSth min	2 V
	VGSth max	3.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	12 ns
Anstiegszeit	tr	20 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	15 ns
Abfallzeit	tf	10 ns
Gesamte Schaltenergie	Etotal	143 mJ
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	42 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	17 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	null mJ
Eingangskapazität	Ciss	950 pF
Ausgangskapazität	Coss	35 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	9 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	44 nC
Avalanche	Ja
Nettogewicht	mnet	6 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	0.98 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	40 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s