DIT195N08
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DIT195N08 MOSFET, TO-220AB, N, 85V, 195A, 3.5mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	1.000
Bestand	283
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DIT195N08

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-220AB
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	n/a

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	85 V

Drainstrom 25°C	ID	195 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0035 Ω
	@ ID	20 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	140 A
On-Widerstand 2	RDSon2	null Ω
	@ ID	null A
	@ VGS	null V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	300 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	850 A
	@ tp	10000 µs
Schwellspannung	VGSth min	2 V
	VGSth max	4 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	62 ns
Anstiegszeit	tr	66 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	92 ns
Abfallzeit	tf	35 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	296 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	78 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	2880 mJ
Eingangskapazität	Ciss	16880 pF
Ausgangskapazität	Coss	863 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	730 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	210 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	2.2 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	0.428 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	175 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	85 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	70 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	tbd Ω