DIT110P06
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DIT110P06 MOSFET, TO-220AB, P, 60V, 110A, 7mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	1.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DIT110P06

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-220AB
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	n/a

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-60 V

Drainstrom 25°C	ID	-110 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.007 Ω
	@ ID	-15 A
	@ VGS	-10 V
Drainstrom 100°C	ID	-70 A
On-Widerstand 2	RDSon2	null Ω
	@ ID	null A
	@ VGS	null V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	180 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	-440 A
	@ tp	10000000 µs
Schwellspannung	VGSth min	-1.6 V
	VGSth max	-2.4 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	21 ns
Anstiegszeit	tr	44 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	72 ns
Abfallzeit	tf	61 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	80 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	11 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	882 mJ
Eingangskapazität	Ciss	5403 pF
Ausgangskapazität	Coss	941 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	48 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	0 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	2.2 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	0.69 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	60 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	60 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	TBA mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	2 Ω