DIT100N10
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

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Produktinformationen

Produktfamilie MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung DIT100N10
MOSFET, TO-220AB, N, 100V, 100A, 9.9mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge 1.000
Bestand 0
Zollnummer 85412900
RoHS compliant with exemption 7(a)-I
REACH declarable
Bleifrei Nein
Halogenfrei Nein

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Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer DIT100N10
DIT100N10 Single
Typ Wire-lead
Gehäuse TO-220AB
Qualification Industrial Grade
Config Single
Life Cycle active
ESD sensitive Nein
MSL n/a
 
ESD Schutz ESD protected Nein
Polarität pol N
Drain-Source-Spannung VDS 100 V
Drainstrom 25°C ID 100 A
On-Widerstand 1 RDSon1 0.0099 Ω
@ ID 40 A
@ VGS 10 V
Drainstrom 100°C ID 55 A
On-Widerstand 2 RDSon2 null Ω
@ ID null A
@ VGS null V
Sperrschicht Temperatur Tjmin -55 °C
Tjmax 175 °C
Verlustleistung Ptot 200 W
@ TLoc 25 °C
Location Contact
Avalanche Ja
Drain-Spitzenstrom IDM 380 A
@ tp 10000 µs
Schwellspannung VGSth min 2 V
VGSth max 4 V
Einschaltverzögerung tD(on) 15 ns
Anstiegszeit tr 50 ns
Ausschaltverzögerung tD(off) 40 ns
Abfallzeit tf 55 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V) Qg (10V) 85 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V) Qg (4.5V) null nC
Gate-Drain Ladung Qgd 28 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie Eas 800 mJ
Eingangskapazität Ciss 4800 pF
Ausgangskapazität Coss 340 pF
Rückwirkungskapazität Crss 150 pF
Sperrverzugsladung Qrr 53 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse UL94-V0 Ja
Nettogewicht mnet 2.2 g
Kennzeichnung Marking Type
Wärmewiderst. Sperrschicht RTH 0.75 K/W
Location case
UL anerkannt UL-Recognition null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b) RTH null K/W
Location null
Lagerungstemperatur Tsmin -55 °C
Tsmax 175 °C
Löt- und Einbaubedingungen Solder & Assembly 260°/10s
Gate-Source Leckstrom IGSS 0.1 µA
@ VGS 20 V
Drain-Source Leckstrom IDSS 1 µA
@ VDS 100 V
Gate-Source-Spannung DC VGSS 20 V
Gate-Source-Spannung ESD VGSS null V
Übertragungssteilheit gfs 100 mA/V
Innerer Gate-Widerstand RGi tbd Ω

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