DIP050S120
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistoren) Leistungsschalter für Umrichter
Artikelbezeichnung	DIP050S120 IGBT, TO-247Plus-3L (No Hole), N-reSonant, 1200 V, 50 A
Mindestbestellmenge	450
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DIP050S120

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-247Plus-3L
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	n/a

Kollektor-Emitter Spannung S	VCES	1200 V
DC Kollektor Strom 100°C	IC100	50 A
Kollektor-Spitzenstrom	ICM	100 A

Polarität	pol	N (reSonant)
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-40 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	600 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Gate-Emitter Schwellspannung	VGEthmin	4.5 V
	VGEth	5.8 V
	VGEthmax	6.8 V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung	VCEsat100	2.9 V
	@ IC100	50 A
	@ VGE	15 V
Anstiegszeit	tr	41 ns
Abfallzeit	tf	135 ns
Nettogewicht	mnet	6 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	0.25 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s