DIF120SIC053
SiC MOSFETs

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs Hochgeschwindigkeitsschalter für hohe Spannungen und Leistungen
Artikelbezeichnung	DIF120SIC053 1200V SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-247-4L, N, 65A, 1200V, 53mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	450
Bestand	270
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DIF120SIC053

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-247-4L
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	1

Drain-Source-Spannung	VDS	1200 V
Drainstrom 25°C	ID	68 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.053 Ω

	@ ID	33 A
	@ VGS	18 V
On-Widerstand 2	RDSon2	0.065 Ω
	@ ID	33 A
	@ VGS	18 V
Polarität	pol	N
ESD Schutz	ESD protected	Nein
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	18 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Drainstrom 100°C	ID	49 A
Drain-Spitzenstrom	IDM	100 A
	@ tp	null µs
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	278 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Junction
Schwellspannung	VGSth min	1.9 V
	VGSth max	4 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	17 ns
Anstiegszeit	tr	58 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	26 ns
Abfallzeit	tf	15 ns
Gesamte Schaltenergie	Etotal	2.16 mJ
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	121 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	20 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	null mJ
Eingangskapazität	Ciss	2070 pF
Ausgangskapazität	Coss	112 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	11 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	109 nC
Avalanche	Nein
Nettogewicht	mnet	6 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	0.44 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	40 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	175 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s