DIF120SIC022-AQ
SiC MOSFETs

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs Hochgeschwindigkeitsschalter für hohe Spannungen und Leistungen
Artikelbezeichnung	DIF120SIC022-AQ 1200V SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	450
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DIF120SIC022-AQ

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-247-4L
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	n/a

Drain-Source-Spannung	VDS	1200 V
Drainstrom 25°C	ID	120 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0223 Ω

	@ ID	75 A
	@ VGS	18 V
On-Widerstand 2	RDSon2	0.028 Ω
	@ ID	75 A
	@ VGS	18 V
Polarität	pol	N
ESD Schutz	ESD protected	Nein
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	18 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Drainstrom 100°C	ID	85 A
Drain-Spitzenstrom	IDM	250 A
	@ tp	null µs
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	340 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Junction
Schwellspannung	VGSth min	2 V
	VGSth max	4 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	150 ns
Anstiegszeit	tr	38 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	108 ns
Abfallzeit	tf	35 ns
Gesamte Schaltenergie	Etotal	3.7 mJ
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	269 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	48 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	null mJ
Eingangskapazität	Ciss	4817 pF
Ausgangskapazität	Coss	207 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	45 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	630 nC
Avalanche	Nein
Nettogewicht	mnet	6 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	0.44 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	40 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	175 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s