DI7A6N10SQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI7A6N10SQ MOSFET, SO-8, N, 100V, 7.6A, 20mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI7A6N10SQ

Typ	SMD
Gehäuse	SO-8
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drainstrom 25°C	ID	7.6 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.02 Ω
	@ ID	7.5 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	null A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.028 Ω
	@ ID	6.8 A
	@ VGS	6 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	2.5 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	ambient
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	200 A
	@ tp	10000 µs
Schwellspannung	VGSth min	2 V
	VGSth max	4 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	14 ns
Anstiegszeit	tr	20 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	37 ns
Abfallzeit	tf	27 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	22 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	6 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	416 mJ
Eingangskapazität	Ciss	1650 pF
Ausgangskapazität	Coss	330 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	70 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	90 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.1 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	50 K/W
	Location	ambient
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	10 µA
	@ VDS	80 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	null mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	null Ω