DI4A7P06SQ2
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI4A7P06SQ2 MOSFET, SO-8, P+P, -60V, -4.7A, 75mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI4A7P06SQ2

Typ	SMD
Gehäuse	SO-8
Qualification	Industrial Grade
Config	Dual
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P+P
Drain-Source-Spannung	VDS	-60 V

Drainstrom 25°C	ID	-4.7 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.075 Ω
	@ ID	-5 A
	@ VGS	-10 V
Drainstrom 100°C	ID	null A
On-Widerstand 2	RDSon2	0 Ω
	@ ID	0 A
	@ VGS	0 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	3 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Terminal
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	-30 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	-1.3 V
	VGSth max	-2.3 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	0 ns
Anstiegszeit	tr	6 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	0 ns
Abfallzeit	tf	13 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	8.5 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	1.5 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	null mJ
Eingangskapazität	Ciss	80 pF
Ausgangskapazität	Coss	80 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	3.9 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	105 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	1 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	42 K/W
	Location	terminal
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	80 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	60 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	null mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	null Ω