DI4A5C06SQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI4A5C06SQ Complementary MOSFET MOSFET, SO-8, N+P, 60V, 4.5A, 55mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI4A5C06SQ

Typ	SMD
Gehäuse	SO-8
Qualification	Industrial Grade
Config	Dual
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N+P
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V

Drainstrom 25°C	ID	4.5 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.055 Ω
	@ ID	4.5 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	null A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.075 Ω
	@ ID	4 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	1.6 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	20 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	1 V
	VGSth max	3 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	11 ns
Anstiegszeit	tr	8 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	19 ns
Abfallzeit	tf	6 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	12.5 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	2 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	null mJ
Eingangskapazität	Ciss	650 pF
Ausgangskapazität	Coss	80 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	35 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	4 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.1 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	40 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	78 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	48 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	14 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	null Ω