DI3A0N90D1K
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

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Produktinformationen

Produktfamilie MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung DI3A0N90D1K
MOSFET, DPAK, N, 900V, 3A, 1.5Ω, 150°C
Mindestbestellmenge 2.500
Bestand 0
Zollnummer 85412900
RoHS compliant with exemption
REACH declarable
Bleifrei Nein
Halogenfrei Nein

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Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer DI3A0N90D1K
DI3A0N90D1K Single
Typ SMD
Gehäuse TO-252AA/D-PAK
Qualification Industrial Grade
Config Single
Life Cycle engineering sample
ESD sensitive Ja
MSL 1
 
ESD Schutz ESD protected Nein
Polarität pol N
Drain-Source-Spannung VDS 900 V
Drainstrom 25°C ID 3 A
On-Widerstand 1 RDSon1 1.5 Ω
@ ID 0.9 A
@ VGS 10 V
Drainstrom 100°C ID 1.5 A
On-Widerstand 2 RDSon2 null Ω
@ ID null A
@ VGS null V
Sperrschicht Temperatur Tjmin null °C
Tjmax null °C
Verlustleistung Ptot 31 W
@ TLoc 25 °C
Location Junction
Avalanche Nein
Drain-Spitzenstrom IDM 7 A
@ tp null µs
Schwellspannung VGSth min 2 V
VGSth max 4 V
Einschaltverzögerung tD(on) 26 ns
Anstiegszeit tr 21 ns
Ausschaltverzögerung tD(off) 25 ns
Abfallzeit tf 98 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V) Qg (10V) 11 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V) Qg (4.5V) null nC
Gate-Drain Ladung Qgd 4 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie Eas null mJ
Eingangskapazität Ciss 457 pF
Ausgangskapazität Coss 11 pF
Rückwirkungskapazität Crss 2 pF
Sperrverzugsladung Qrr 1600 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse UL94-V0 Ja
Nettogewicht mnet null g
Kennzeichnung Marking null
Wärmewiderst. Sperrschicht RTH null K/W
Location null
UL anerkannt UL-Recognition null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b) RTH null K/W
Location null
Lagerungstemperatur Tsmin null °C
Tsmax null °C
Löt- und Einbaubedingungen Solder & Assembly 260°/10s
Gate-Source Leckstrom IGSS null µA
@ VGS null V
Drain-Source Leckstrom IDSS null µA
@ VDS null V
Gate-Source-Spannung DC VGSS null V
Gate-Source-Spannung ESD VGSS null V
Übertragungssteilheit gfs null mA/V
Innerer Gate-Widerstand RGi null Ω

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