DI332N04PQ-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI332N04PQ-AQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 40V, 332A, 0.85mΩ, 175°C AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI332N04PQ-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V

Drainstrom 25°C	ID	332.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.00085 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	235.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.00000 Ω
	@ ID	0.000 A
	@ VGS	0 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	159.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	1328.000 A
	@ tp	100 µs
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	34 ns
Anstiegszeit	tr	46 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	25 ns
Abfallzeit	tf	18 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	81.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	0.0 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	18 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	470.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	5501 pF
Ausgangskapazität	Coss	3144 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	132 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	56.0 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.1 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	0.9 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	40.0 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	175 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	80 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	9.9 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	1 Ω