DI320N04TL-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

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Produktinformationen

Produktfamilie MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung DI320N04TL-AQ
MOSFET, TOLL, N, 40V, 330A, 1.25mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge 2.000
Bestand 0
Zollnummer 85412900
RoHS compliant with exemption
REACH declarable
Bleifrei Ja
Halogenfrei Ja

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Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer DI320N04TL-AQ
DI320N04TL-AQ Single
Typ SMD
Gehäuse HSOF-8/TOLL
Qualification AEC-Q101
Config Single
Life Cycle engineering sample
ESD sensitive Ja
MSL 1
 
ESD Schutz ESD protected Nein
Polarität pol N
Drain-Source-Spannung VDS 40 V
Drainstrom 25°C ID 330.000 A
On-Widerstand 1 RDSon1 0.00125 Ω
@ ID 20.000 A
@ VGS 10 V
Drainstrom 100°C ID 226.000 A
On-Widerstand 2 RDSon2 0.00000 Ω
@ ID 0.000 A
@ VGS 0 V
Sperrschicht Temperatur Tjmin -55 °C
Tjmax 175 °C
Verlustleistung Ptot 230.000 W
@ TLoc 25 °C
Location Contact
Avalanche Ja
Drain-Spitzenstrom IDM 1280.000 A
@ tp 100 µs
Schwellspannung VGSth min 2.0 V
VGSth max 4.0 V
Einschaltverzögerung tD(on) 4.4 ns
Anstiegszeit tr 21.0 ns
Ausschaltverzögerung tD(off) 40.0 ns
Abfallzeit tf 19.0 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V) Qg (10V) 73.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V) Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung Qgd 12 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie Eas 421.0 mJ
Eingangskapazität Ciss 5654 pF
Ausgangskapazität Coss 3337 pF
Rückwirkungskapazität Crss 99 pF
Sperrverzugsladung Qrr 110.0 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse UL94-V0 Nein
Nettogewicht mnet 2 g
Kennzeichnung Marking Type
Wärmewiderst. Sperrschicht RTH 0.7 K/W
Location case
UL anerkannt UL-Recognition
Wärmewiderst. Sperrschicht (b) RTH 35 K/W
Location ambient
Lagerungstemperatur Tsmin -55 °C
Tsmax 175 °C
Löt- und Einbaubedingungen Solder & Assembly 260°/10s
Gate-Source Leckstrom IGSS 0.1 µA
@ VGS 20 V
Drain-Source Leckstrom IDSS 1 µA
@ VDS 40 V
Gate-Source-Spannung DC VGSS 20 V
Gate-Source-Spannung ESD VGSS
Übertragungssteilheit gfs 63 mA/V
Innerer Gate-Widerstand RGi 2.1 Ω

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