DI300N08TL
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI300N08TL MOSFET, TOLL, N, 80V, 300A, 1.2mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	2.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI300N08TL

Typ	SMD
Gehäuse	HSOF-8/TOLL
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	80 V

Drainstrom 25°C	ID	300 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0012 Ω
	@ ID	100 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	1200 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0017 Ω
	@ ID	100 A
	@ VGS	6 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	214.2 W
	@ TLoc	175 °C
	Location	Junction
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	1200 A
	@ tp	100 µs
Schwellspannung	VGSth min	1 V
	VGSth max	3 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	93 ns
Anstiegszeit	tr	145 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	98 ns
Abfallzeit	tf	32 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	34.3 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	92 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	1676.9 mJ
Eingangskapazität	Ciss	16964 pF
Ausgangskapazität	Coss	3142 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	441 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	353 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	2 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	0.7 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	35 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	175 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	16 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	64 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	117.5 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	1.5 Ω