DI2A2N100D1K
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI2A2N100D1K Gate Protected MOSFET, DPAK, N, 1000V, 2.2A, 6.8Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	2.500
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI2A2N100D1K

Typ	SMD
Gehäuse	TO-252AA/D-PAK
Qualification	Industrial Grade
Config	Single Protected
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	1000 V

Drainstrom 25°C	ID	2.2 A
On-Widerstand 1	RDSon1	6.8 Ω
	@ ID	1.5 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	1.4 A
On-Widerstand 2	RDSon2	null Ω
	@ ID	null A
	@ VGS	null V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	29.7 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	8 A
	@ tp	10000 µs
Schwellspannung	VGSth min	3 V
	VGSth max	4 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	36 ns
Anstiegszeit	tr	14 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	92 ns
Abfallzeit	tf	44 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	25 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	15 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	125 mJ
Eingangskapazität	Ciss	510 pF
Ausgangskapazität	Coss	54 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	11 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	1.5 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.32 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	4.2 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	63 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	10 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	2 µA
	@ VDS	520 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	25 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	2000 V
Übertragungssteilheit	gfs	tbd mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	8 Ω