DI2579N
Bipolare Transistoren

Produktinformationen

Produktfamilie	Bipolare Transistoren Steuerung und Signalverarbeitung
Artikelbezeichnung	DI2579N BJT, SOT-223, 700V, 1000mA, NPN, 1.25W, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	4.000
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI2579N

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-223
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

Kollektor Emitter Spannung	VCEO	700 V
DC Kollektorstrom	IC	2000 mA
Polarität	pol	NPN

Verlustleistung	Ptot	1.25 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	ambient
Kollektor Basis Stromverhältnis	hfe	20
	@ VCE	5 V
	@ IC	350 mA
DC current gain (b)	hfe	null
	@ VCE	null V
	@ IC	null mA
DC current gain (c)	hfe	null
	@ VCE	null V
	@ IC	null mA
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Kollektor-Spitzenstrom	ICM	2 A
Peak Base current	IBM	1000 mA
Collector Base voltage	VCBO	null V
Emitter Base voltage	VEBO	9 V
Kollektor Sättigungsspannung	VCEsat	1000 mV
	@ IC	350 mA
	@ IB	50 mA
Base saturation voltage	VBEsat	null V
	@ IC	null mA
	@ IB	null mA
Base Emitter voltage	VBE	null V
Collector Base cutoff current	ICBO	null nA
Emitter Base cutoff current	IEBO	null nA
Transitfrequenz	ft	0 MHz
	@ IC	0 mA
	@ VCE	0 V
	@ f	0 MHz
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	80 K/W
	Location	ambient
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Nettogewicht	mnet	0.04 g
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Collector Base capacitance	CCBO	null pF
	@ VCB	null V
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C