DI200N04PQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI200N04PQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 40V, 200A, 1.3mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	not declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI200N04PQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V

Drainstrom 25°C	ID	200 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0013 Ω
	@ ID	100 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	165 A
On-Widerstand 2	RDSon2	null Ω
	@ ID	null A
	@ VGS	null V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	180 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	800 A
	@ tp	10000 µs
Schwellspannung	VGSth min	2 V
	VGSth max	4 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	14 ns
Anstiegszeit	tr	8 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	57 ns
Abfallzeit	tf	10 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	92 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	18 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	1800 mJ
Eingangskapazität	Ciss	5768 pF
Ausgangskapazität	Coss	2315 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	69 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	120 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.1 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	0.69 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	40 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	40 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	87 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	null Ω