DI1A5N60D1
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI1A5N60D1 MOSFET, DPAK, N, 600V, 1.5A, 8Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	2.500
Bestand	1.420.000
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI1A5N60D1

Typ	SMD
Gehäuse	TO-252AA/D-PAK
Qualification	Industrial Grade
Config	Single Protected
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	600 V

Drainstrom 25°C	ID	1.5 A
On-Widerstand 1	RDSon1	8 Ω
	@ ID	0.75 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	0.97 A
On-Widerstand 2	RDSon2	null Ω
	@ ID	null A
	@ VGS	null V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	25 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	6 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	2 V
	VGSth max	4 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	3 ns
Anstiegszeit	tr	12 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	17 ns
Abfallzeit	tf	7 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	7.9 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	5 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	30 mJ
Eingangskapazität	Ciss	156 pF
Ausgangskapazität	Coss	24 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	22 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	230 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.32 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	5 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	100 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin
	Tsmax
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly
Gate-Source Leckstrom	IGSS
	@ VGS
Drain-Source Leckstrom	IDSS
	@ VDS
Gate-Source-Spannung DC	VGSS
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS
Übertragungssteilheit	gfs
Intrinsic gate resistance	RGi