DI1A0N60D1-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI1A0N60D1-AQ MOSFET, DPAK, N, 600V, 1.0A, 8.4Ω, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	2.500
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI1A0N60D1-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	TO-252AA/D-PAK
Qualification	AEC-Q101
Config	Single Protected
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	600 V

Drainstrom 25°C	ID	1 A
On-Widerstand 1	RDSon1	8.4 Ω
	@ ID	0.5 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	0.63 A
On-Widerstand 2	RDSon2	null Ω
	@ ID	null A
	@ VGS	null V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	25 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	2.5 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	2 V
	VGSth max	4 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	8 ns
Anstiegszeit	tr	14 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	14 ns
Abfallzeit	tf	104 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	4.3 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	2.3 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	43.5 mJ
Eingangskapazität	Ciss	121 pF
Ausgangskapazität	Coss	8 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	5.3 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	0.23 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.32 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	5 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	100 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	24 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	480 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	30 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	0.7 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	null Ω