DI180N10PQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI180N10PQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 100V, 180A
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	not declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI180N10PQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Ja
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drainstrom 25°C	ID	180.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.00260 Ω
	@ ID	90.000 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	114.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.00000 Ω
	@ ID	0.000 A
	@ VGS	0 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	227.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	720.000 A
	@ tp	100 µs
Schwellspannung	VGSth min	2.5 V
	VGSth max	3.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	36 ns
Anstiegszeit	tr	39 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	34 ns
Abfallzeit	tf	16 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	79.3 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	16.5 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	444.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	5370 pF
Ausgangskapazität	Coss	1795 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	26 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	180.0 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.1 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	0.6 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	101.9 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	100 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	null mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	0.6 Ω