DI120SIC052QD-AQ
SiC MOSFETs

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs Hochgeschwindigkeitsschalter für hohe Spannungen und Leistungen
Artikelbezeichnung	DI120SIC052QD-AQ 1200V SiC MOSFET SiC MOSFET, QDPAK, N, 49A, 1200V, 52mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	1.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI120SIC052QD-AQ

Typ	Wire-lead
Gehäuse	QDPAK
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

Drain-Source-Spannung	VDS	1200 V
Drainstrom 25°C	ID	49.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.05200 Ω

	@ ID	20.000 A
	@ VGS	18 V
On-Widerstand 2	RDSon2	0.05000 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	15 V
Polarität	pol	N
ESD Schutz	ESD protected	Nein
Gate-Source-Spannung DC	VGSS
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS
Drainstrom 100°C	ID	35.000 A
Drain-Spitzenstrom	IDM	120.000 A
	@ tp	10 µs
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	300.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Junction
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	2.9 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	19 ns
Anstiegszeit	tr	12 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	33 ns
Abfallzeit	tf	10 ns
Gesamte Schaltenergie	Etotal	176.00 mJ
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	65.0 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	17 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	1752 pF
Ausgangskapazität	Coss	74 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	7 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	241.0 nC
Avalanche	Nein
Nettogewicht	mnet
Kennzeichnung	Marking
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Nein
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH
	Location
UL anerkannt	UL-Recognition
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH
	Location
Lagerungstemperatur	Tsmin
	Tsmax
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly