DI120SIC026D7
SiC MOSFETs

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs Hochgeschwindigkeitsschalter für hohe Spannungen und Leistungen
Artikelbezeichnung	DI120SIC026D7 1200V SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-263-7L, N, 117A, 1200V, 26mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	800
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI120SIC026D7

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-263-7L
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

Drain-Source-Spannung	VDS	1200 V
Drainstrom 25°C	ID	117 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.026 Ω

	@ ID	50 A
	@ VGS	18 V
On-Widerstand 2	RDSon2	null Ω
	@ ID	null A
	@ VGS	null V
Polarität	pol	N
ESD Schutz	ESD protected	Nein
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	18 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Drainstrom 100°C	ID	83 A
Drain-Spitzenstrom	IDM	297 A
	@ tp	null µs
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	535 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Schwellspannung	VGSth min	1.9 V
	VGSth max	4 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	17 ns
Anstiegszeit	tr	32 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	45 ns
Abfallzeit	tf	14 ns
Gesamte Schaltenergie	Etotal	1.92 mJ
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	64 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	182 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	null mJ
Eingangskapazität	Ciss	5990 pF
Ausgangskapazität	Coss	220 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	19 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	639 nC
Avalanche	Nein
Nettogewicht	mnet	0.32 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	0.288 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	TBA K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	175 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s