DI120N04PT
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI120N04PT MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 40V, 120A, 2.8mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI120N04PT

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V

Drainstrom 25°C	ID	120.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.00280 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	76.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.00380 Ω
	@ ID	15.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	65.700 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	480.000 A
	@ tp	100 µs
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.2 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	10 ns
Anstiegszeit	tr	9 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	31 ns
Abfallzeit	tf	10 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	42.6 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	7.2 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	180.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	2625 pF
Ausgangskapazität	Coss	560 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	35 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	18.4 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.1 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	1.9 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	40.0 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	20 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	22 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	1.0 Ω