DI117N04PQ-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI117N04PQ-AQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 40V, 117A, 3.3 mΩ, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI117N04PQ-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	40 V

Drainstrom 25°C	ID	117.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.00330 Ω
	@ ID	20.000 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	83.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.00000 Ω
	@ ID	0.000 A
	@ VGS	0 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	75.000 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Junction
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	387.000 A
	@ tp
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	4 ns
Anstiegszeit	tr	4 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	18 ns
Abfallzeit	tf	9 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	18.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	0.0 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	2.5 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	65.0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	1532 pF
Ausgangskapazität	Coss	855 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	50 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	19.0 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Nein
Nettogewicht	mnet
Kennzeichnung	Marking
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH
	Location
UL anerkannt	UL-Recognition
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH
	Location
Lagerungstemperatur	Tsmin
	Tsmax
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly
Gate-Source Leckstrom	IGSS
	@ VGS
Drain-Source Leckstrom	IDSS
	@ VDS
Gate-Source-Spannung DC	VGSS
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS
Übertragungssteilheit	gfs
Intrinsic gate resistance	RGi