DI110N10PQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI110N10PQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 100V, 110A
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	not declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI110N10PQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drainstrom 25°C	ID	110 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0 Ω
	@ ID	0 A
	@ VGS	0 V
Drainstrom 100°C	ID	0 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.006 Ω
	@ ID	30 A
	@ VGS	10 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	113.6 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	380 A
	@ tp	10000 µs
Schwellspannung	VGSth min	1 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	15.4 ns
Anstiegszeit	tr	13 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	34 ns
Abfallzeit	tf	6.2 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	75 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	13 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	205 mJ
Eingangskapazität	Ciss	4400 pF
Ausgangskapazität	Coss	645 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	20 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	101 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.1 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	1.1 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	58 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	100 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	null mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	1.7 Ω