DI0A6N02PGK
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI0A6N02PGK MOSFET, DFN1006-3, N, 20V, 0.6A, 0.62Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	10.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI0A6N02PGK

Typ	SMD
Gehäuse	DFN1006-3
Qualification	Industrial Grade
Config	Single Protected
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	20 V

Drainstrom 25°C	ID	0.6 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.62 Ω
	@ ID	0.6 A
	@ VGS	4.5 V
Drainstrom 100°C	ID	null A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.85 Ω
	@ ID	0.5 A
	@ VGS	2.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.45 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Junction
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	2.5 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	0.4 V
	VGSth max	1 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	6 ns
Anstiegszeit	tr	9 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	19 ns
Abfallzeit	tf	51 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	0.4 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	0.1 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	0 mJ
Eingangskapazität	Ciss	21 pF
Ausgangskapazität	Coss	5 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	4 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	0 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.001 g
Kennzeichnung	Marking	58G
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	278 K/W
	Location	ambient
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	10 µA
	@ VGS	10 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	20 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	10 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	2000 V
Übertragungssteilheit	gfs	null mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	100 Ω