DI0A35N06PGK
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI0A35N06PGK MOSFET, DFN1006-3, N, 60V, 0.35A, 1.4Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	10.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI0A35N06PGK

Typ	SMD
Gehäuse	DFN1006-3
Qualification	Industrial Grade
Config	Single Protected
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V

Drainstrom 25°C	ID	0.35 A
On-Widerstand 1	RDSon1	1.4 Ω
	@ ID	0.5 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	null A
On-Widerstand 2	RDSon2	1.4 Ω
	@ ID	0.2 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.223 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	ambient
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	1.2 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	0.5 V
	VGSth max	1 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	4 ns
Anstiegszeit	tr	3 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	19 ns
Abfallzeit	tf	12 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	1.9 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	0 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	null mJ
Eingangskapazität	Ciss	32 pF
Ausgangskapazität	Coss	11 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	8 pF
Sperrverzugsladung	Qrr
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.001 g
Kennzeichnung	Marking	MT
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	560 K/W
	Location	ambient
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	10 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	48 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	1000 V
Übertragungssteilheit	gfs	null mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	100 Ω