DI064N20D2
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI064N20D2 MOSFET, D2PAK, N, 200V, 64A, 25 mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	800
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI064N20D2

Typ	SMD
Gehäuse	TO-263AB/D2PAK
Qualification	Commercial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	200 V

Drainstrom 25°C	ID	64 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.025 Ω
	@ ID	40 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	40 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0 Ω
	@ ID	0 A
	@ VGS	0 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	227 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	240 A
	@ tp	10000 µs
Schwellspannung	VGSth min	3 V
	VGSth max	5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	31 ns
Anstiegszeit	tr	60 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	19 ns
Abfallzeit	tf	9 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	72 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	23 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	256 mJ
Eingangskapazität	Ciss	4077 pF
Ausgangskapazität	Coss	240 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	22 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	505 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	1.6 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	0.55 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	35 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	160 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	30 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	38 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	1 Ω