DI050P02PT
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI050P02PT MOSFET, PowerQFN 3x3, P, -20V, -50A, 10mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI050P02PT

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-20 V

Drainstrom 25°C	ID	-50 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.01 Ω
	@ ID	-15 A
	@ VGS	-10 V
Drainstrom 100°C	ID	-31 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.013 Ω
	@ ID	-8 A
	@ VGS	-4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	35.7 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	-180 A
	@ tp	100 µs
Schwellspannung	VGSth min	-0.3 V
	VGSth max	-1 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	28 ns
Anstiegszeit	tr	67 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	41 ns
Abfallzeit	tf	5 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	102 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	13 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	54 mJ
Eingangskapazität	Ciss	4596 pF
Ausgangskapazität	Coss	546 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	449 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	8 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.1 g
Kennzeichnung	Marking	302P100
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	3.5 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	45 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	12 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	16 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	12 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	36 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	2 Ω