DI045N03PT
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI045N03PT MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 30V, 45A, 4.4mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI045N03PT

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	30 V

Drainstrom 25°C	ID	45 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0044 Ω
	@ ID	24 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	30 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0068 Ω
	@ ID	12 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	16 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	280 A
	@ tp	10000 µs
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	18 ns
Anstiegszeit	tr	54 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	18 ns
Abfallzeit	tf	8 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	53 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	26 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	13 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	55 mJ
Eingangskapazität	Ciss	2300 pF
Ausgangskapazität	Coss	280 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	230 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	6 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.1 g
Kennzeichnung	Marking	303N040
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	8 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	20 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	27 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	1 Ω