DI032N03PTK
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI032N03PTK Gate protected MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 30V, 32A, 5mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI032N03PTK

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	Industrial Grade
Config	Single Protected
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	30 V

Drainstrom 25°C	ID	32 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.005 Ω
	@ ID	20 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	32 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0072 Ω
	@ ID	20 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	28 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	115 A
	@ tp	10000 µs
Schwellspannung	VGSth min	1 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	7 ns
Anstiegszeit	tr	9 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	40 ns
Abfallzeit	tf	11 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	38 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	12 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	45 mJ
Eingangskapazität	Ciss	2300 pF
Ausgangskapazität	Coss	240 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	210 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	15 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.1 g
Kennzeichnung	Marking	tbd
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	4.5 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	55 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	10 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	20 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	2500 V
Übertragungssteilheit	gfs	100 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	2.5 Ω