DI028N10PQ2
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI028N10PQ2 MOSFET, PowerQFN 5x6-Dual, N+N, 100V, 28A
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption 7(a)-I
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	DI028N10PQ2

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6-Dual
Qualification	Industrial Grade
Config	Dual
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N+N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drainstrom 25°C	ID	28 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.021 Ω
	@ ID	7 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID	18 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.026 Ω
	@ ID	5 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	28 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Contact
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	130 A
	@ tp	10000 µs
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	12 ns
Anstiegszeit	tr	3.5 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	11 ns
Abfallzeit	tf	4 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	22 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	null nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	6 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	15 mJ
Eingangskapazität	Ciss	1028 pF
Ausgangskapazität	Coss	170 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	7 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	30 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.1 g
Kennzeichnung	Marking	610N170
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	3.8 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	80 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	175 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	80 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	15.8 mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	0.6 Ω