DI025P02PW
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI025P02PW MOSFET, PowerQFN 2x2, P, -20V, -25A, 10mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI025P02PW

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 2x2
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-20 V

Drainstrom 25°C	ID	-25 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.01 Ω
	@ ID	-20 A
	@ VGS	-4.5 V
Drainstrom 100°C	ID	-16 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.015 Ω
	@ ID	-15 A
	@ VGS	-2.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	18 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	ambient
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	-100 A
	@ tp	null µs
Schwellspannung	VGSth min	-0.4 V
	VGSth max	-1 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	12 ns
Anstiegszeit	tr	40 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	30 ns
Abfallzeit	tf	10 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	null nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	24.7 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	7 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	68 mJ
Eingangskapazität	Ciss	1909 pF
Ausgangskapazität	Coss	356 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	340 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	0 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.05 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	7 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	null K/W
	Location	null
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	150 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	10 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	16 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	10 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	null mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	11 Ω