DI015P10PT-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI015P10PT-AQ MOSFET, PowerQFN 3x3, P, -100V, -15A, 110mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI015P10PT-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Ja
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-100 V

Drainstrom 25°C	ID	-15 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.11 Ω
	@ ID	-10 A
	@ VGS	-10 V
Drainstrom 100°C	ID	-10 A
On-Widerstand 2	RDSon2	0.12 Ω
	@ ID	-5 A
	@ VGS	-4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin	-55 °C
	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	35 W
	@ TLoc	25 °C
	Location	Junction
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	-35 A
	@ tp	100 µs
Schwellspannung	VGSth min	-1.2 V
	VGSth max	-2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	25 ns
Anstiegszeit	tr	35 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	145 ns
Abfallzeit	tf	90 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	50 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	0 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	9 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	72 mJ
Eingangskapazität	Ciss	4292 pF
Ausgangskapazität	Coss	114 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	88 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	145 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Ja
Nettogewicht	mnet	0.1 g
Kennzeichnung	Marking	Type
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH	4.2 K/W
	Location	case
UL anerkannt	UL-Recognition	null
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH	62.5 K/W
	Location	ambient
Lagerungstemperatur	Tsmin	-55 °C
	Tsmax	175 °C
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly	260°/10s
Gate-Source Leckstrom	IGSS	0.1 µA
	@ VGS	20 V
Drain-Source Leckstrom	IDSS	1 µA
	@ VDS	100 V
Gate-Source-Spannung DC	VGSS	20 V
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS	null V
Übertragungssteilheit	gfs	TBA mA/V
Intrinsic gate resistance	RGi	TBA Ω